本书主要内容包括：绪论；单晶硅特性；硅片的制备；外延；热氧化；扩散；离子注入；化学气相淀积；物理气相淀积；光刻工艺；光刻技术；刻蚀技术等。

本书共五个单元，系统介绍了当前硅集成电路制造普遍采用的工艺技术，具体包括硅衬底、氧化与掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试等。

本书分5个单元系统地介绍了当前硅集成电路制造普遍采用的工艺技术。第1单元介绍硅衬底，主要介绍硅单晶的结构特点，单晶硅锭的拉制，硅片(包含体硅片和外延硅片)的制造工艺及相关理论。第2-5单元介绍硅芯片制造基本单项工艺(氧化与掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试)的原理、方法、设备，以及所依托的技术基础及发展趋势。