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本书共6章:绪论;应变硅SOI技术及短沟道SOI MOSFET基础理论;单Halo全耗尽应变Si SOL MOSFET性能分析;新型双栅应变Si SOI MOSFETT性能分析;非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET性能分析;结论和展望。