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工学
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电子科学与技术
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新型SOI MOSFET器件
新型SOI MOSFET器件
作者:
辛艳辉
著
出版社:
电子工业出版社
出版时间:
2018.02
ISBN:
978-7-121-32731-5
主题:
SOI结构
中图法分类号:
TN431.1
【中图法分类】
T 工业技术
>
TN无线电电子学、电信技术
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TN4微电子学、集成电路(IC)
【学科分类】
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简介
本书共6章:绪论;应变硅SOI技术及短沟道SOI MOSFET基础理论;单Halo全耗尽应变Si SOL MOSFET性能分析;新型双栅应变Si SOI MOSFETT性能分析;非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET性能分析;结论和展望。
目录
封面
内容简介
版权页
前言
目录
插图索引
表格索引
符号对照表
缩略语对照表
第1章 绪论
1.1 纳米CMOS器件存在的问题及解决方案
1.2 应变硅技术及其优势
1.3 沟道工程和超浅结技术
1.4 应变硅技术研究发展现状
1.5 主要研究工作和研究内容
第2章 应变硅SOI技术及短沟道SOI MOSFET基础理论
2.1 SOI技术
2.2 应变硅技术
2.2.1 应变硅晶格结构
2.2.2 应变硅能带结构
2.2.3 应变硅SOI器件
2.3 SOI MOSFET器件的基本特性
2.3.1 全耗尽SOI MOSFET的短沟道效应
2.3.2 漏致势垒降低效应
2.3.3 浮体效应
2.3.4 自加热效应
2.4 短沟道全耗尽SOI MOSFET建模基础
2.4.1 抛物线近似模型
2.4.2 准二维模型
2.5 全耗尽SOI MOSFET的亚阈值模型
2.6 本章小结
第3章 单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET性能分析
3.1 Halo LDD MOSFET器件
3.1.1 Halo器件结构
3.1.2 Halo结构的主要工艺流程及主要注入参数
3.2 Halo MOS器件的理论分析
3.2.1 体硅Halo器件结构的理论分析
3.2.2 SOI Halo器件结构的理论分析
3.3 单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET的性能研究
3.3.1 单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET结构的提出
3.3.2 单Halo全耗耗尽应变Si SOI MOSFET能带结构及参数模型
3.3.3 泊松方程的建立及边界条件的确定
3.3.4 二维表面势模型
3.3.5 二维阈值电压模型
3.3.6 结果与分析
3.4 本章小结
第4章 新型双栅应变Si SOI MOSFETT性能分析
4.1 新型双栅应变Si MOSFET的提出背景
4.1.1 传统单栅应变Si器件存在的主要问题
4.1.2 双栅器件的特点
4.1.3 新型栅MOSFET器件结构介绍
4.2 堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si SOI MOSFET的研究
4.2.1 泊松方程的建立及边界条件的确定
4.2.2 二维表面势模型
4.2.3 二维阈值电压模型
4.2.4 结果与分析
4.3 对称三材料双栅应变Si SOI MOSFET的研究
4.3.1 对称三材料双栅应变Si SOI MOSFET器件的提出
4.3.2 泊松方程的建立及边界条件的确定
4.3.3 二维表面势模型
4.3.4 二维阈值电压模型
4.3.5 结果与分析
4.3.6 亚阈值电流
4.3.7 亚阈值斜率模型
4.3.8 分析与讨论
4.4 本章小结
第5章 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET性能分析
5.1 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET提出背景
5.2 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的研究
5.2.1 器件结构及应变量修正
5.2.2 泊松方程的建立及边界条件的确定
5.2.3 二维表面势模型
5.2.4 二维阈值电压模型
5.2.5 结果与分析
5.3 本章小结
第6章 结论和展望
6.1 结论
6.2 展望
参考文献
封底
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