本书是在作者数年来对类石墨烯二维材料研究的基础上撰写而成，系统介绍了掺杂与缺陷对类石墨烯二维材料(石墨烷和砷烯)电磁学性质的影响，并基于掺杂和缺陷基底研究其与不同分子间的相互作用，探究其气敏特性，为设计制造新型电磁学器件给予理论指导，为新型气体传感器的设计提供理论基础。本书分为8章，其中第1-2章介绍了石墨烷和砷烯的研究背景及理论方法；第3-5章介绍了掺杂和缺陷对砷烯的电磁学性质的改性；第6-10章介绍了石墨烷和砷烯的气敏特性。
本书中主要研究了两种典型的缺陷：Stone-Wales缺陷和空位缺陷；研究了不同种缺陷对碳纳米管和石墨烯的几何结构和电磁学性质产生的影响。然后基于缺陷碳纳米管和石墨烯我们引入了不同的杂质，探究了不同气体分子与缺陷石墨烯的相互作用。为基于碳纳米管和石墨烯基底，设计不同的结构应用于电磁学器件、气体传感器及储氢材料提供了参考。
